Кособуцький Петро Сидорович

Кособуцький Петро Сидорович

Доктор фізико-математичних наук, професор, професор кафедри САПР

E-mail: petkosob (at) polynet.lviv.ua

Освіта

  • Національний університет ім. Івана Франка, 1973;
  • Аспірантура, при Інституті фізики АН УРСР, 1976;
  • Доктор фізико-математичних наук, 1996;
  • Профессор, 2001.

Нагороди:

Міжнародний грант "Соросівські доценти" з фізики, 1997 р.

Міжнародний грант з нанофізики від НАТО в співпраці з проф.В.Мейєм (Університет ім.Гумбольта, Німеччина).

Професійна діяльність:

  • 1980 - к.ф.-м.н, зав.сектору Ін-ту фізики
  • 1981-1988 - науковий працівник Ін-ту матеріалів (Львів)
  • 1988 - ассистент
  • 1991 - доцент
  • 2001 р. - професор Національного університету "Львіська політехніка"
  • Член НТШ Українського, Американського (APS) та SPIE товариств.
  • Підготував чотири кандидати фізико-математичних наук

Наукові інтереси:

Фізика твердого тіла та напівпровідників, оптична інтерферометрія, коливні процеси.

Основні публікації:

Співавтор 5 навчальних посібників, 2 методичних посібників, 4 монографій. Започаткував видавничу серію навчальних посібників та монографій "Прикладна і комп'ютерна фізика".

Монографії

  • Кособуцький П.С. Фізичні основи статистичної оптимізації мікро- і наносистемної техніки: монографія / Львів: Видавництво Львівської політехніки, 2016. - 492 c.
  • Кособуцький П.С. Статистичні та Монте-Карло алгоритми моделювання випадкових процесів у макро- і мікросистемах у MathCAD: Монографія - Львів: Видавництво Львівської політехніки, 2014. - 412 с. ISBN 978-617-607-611-7
  • Кособуцький П.С. Метод обвідних в інтерферометрії Фабрі-Перо: Монографія. - Львів: Видавництво Львівської політехніки, 2013. - 228 с. ISBN 978-617-607-377-2
  • П.Кособуцький, М.Лобур. Моделювання коливних процесів простих систем. Монографія. Львів: НУЛП, 2003. - 220 с.
  • П. Кособуцький, М.Каркульовська, М.Сегеда. Фізичні основи моделювання хвильових електромагнітнизх процесів в оптиці. Монографія. Львів: НУЛП, 2003. - 207 с.
    1. Кособуцький П.С. Фізичні основи статистичної оптимізації мікро- і наносистемної техніки: монографія / Львів: Видавництво Львівської політехніки, 2016. - 492 c.
    2. Kosobutskyy P., Karkulovska M. Suppression of interface impedance contrast in plane-parallel coatings // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Серія "Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика". - 2015. - № 828. - P. 3-11.
    3. P. Kosobutskyy, A. Kovalchuk // Optica Applicata. - 2016. - Vol.47. - P.. (КПКВ 2201380) (Ковальчук А. М.) (SciVerse SCOPUS).
    4. Petro Kosobutskyy, Kostyantyn Kolesnyk, Igor Farmaga, Roman Panchak. Relaxation of Energy of Forced Vibration Oscillator // CAD in Machinery Design. Implementation and Educational Issues: Proc. of the XXIV Ukrainian-Polish Conference (Lviv, Ukraine, 21-22 october, 2016). - 2016. - P. 39-44.
    1. P. Livchak, P. Kosoboutskyy. High-Field Strength thе Sources Based on Tilted Pulse Front Pumping: Operation Principle and Perspectives // Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика: [зб. наук. пр.] / відп. ред. М.В. Лобур.-Л.: Видавництво НУ «Львівська політехніка», 2014 – С. 15-20 – Вісник / Національний Університет «Львівська політехніка»; № 808
    2. P. Kosobutskyy, O. Narushynska, A. Kovalchuk. Statistical Analysis of Spectroscopy Reflectance, Absorption and Transmission of Light in the Turbid Planar Layer // Перспективні технології і методи проектування МЕМС: матеріали дванадцятої міжнар. конф. MEMSTECH 2015, 2-6 вересеня 2015, Поляна, Україна / Національний Університет "Львівська Політехніка"– Л.: Вежа і Ко, 2015 – C.51-54-Парал.тит.арк.англ.
    3. P. Kosobutskyy, A. Kovalchuk, M. Szermer, W. Zabierowski, P. Zajac, C. Maj. Statistical Optimization of the Cantilever Beam // Досвід розробки і застосування САПР в мікроелектроніці: матеріали XIII міжнародної конференції CADSM-2015, 24-27 лютого 2015, Поляна, Україна / Національний Університет "Львівська Політехніка". – Л.: Вежа і Ко, 2015 – C.245-247-Парал.тит.арк.англ.
    4. P. Kosobutskyy, A. Kovalchuk, M. Szermer, W. Zabierowski, P. Zajac,C. Maj. Statistical optimization of the cantilever beams // Досвід розробки і застосування САПР в мікроелектроніці: матеріали XIII міжнародної конференції CADSM-2015, 24-27 лютого 2015, Поляна, Україна / Національний Університет "Львівська Політехніка". – Л.: Вежа і Ко, 2015 – C.245-247-Парал.тит.арк.англ.
    5. P. Livchak, P. Kosobutskyy, D. Vunnuk, M. Kyryk, V. Yanyshyn. Calculation of terahertz antenna gratings generated by illumination of semiconductor // Досвід розробки і застосування САПР в мікроелектроніці: матеріали XIII міжнародної конференції CADSM-2015, 24-27 лютого 2015, Поляна, Україна / Національний Університет "Львівська Політехніка". – Л.: Вежа і Ко, 2015 – C.126-128-Парал.тит.арк.англ.
    6. П. Кособуцький, А. Ковальчук. Монте-Карло Моделювання Впливу Флуктуацій Оптичних Параметрів Мутних Середовищ На Закономірності Розсіяння Фотонів // Математичне та імітаційне моделювання систем МОДС 2015: Х Міжнар. наук.- практ. конф. (22– 26 черв. 2015 р.): тези доп. / НАН України [та ін.], 2015. – С. 73–76.
    1. Bohdan Dupak, Mykhajlo Lobur, Roman Ivantsiv, Petro Kosobutskyy. The Analysis of Distorting Effects in Atomic Force Microscopy Based on Cantilever of Mechanical Type // Journal Machine Dynamics Research.-Poland, Warsaw University of Technology- 2013- Vol.3, No. 2-P.24-28.
    2. Mykhajlo Lobur, Petro Kosobutskyy, Andrzej Napieralski, Lyubomyr Monastyrski. Sensors on the Basis of Porsi for MEMS // Journal Machine Dynamics Research.-Poland, Warsaw University of Technology- 2013- Vol.3, No. 2-P.61-64.
    3. P.Kosobutskyy, M.Lobur, D. Lizanets. Monte Carlo Modeling of Stiffness of MEMS Membrane // Mixed 2014,: Proc. of International Seminar Poland, Gdansk, P.23-26- Bibliogr.: 2 titles.
    4. P.Kosobutskyy, M.Komarnitskyy, C.Maj. Simulink multibeam acoustic waqves interference in plane-paralell layers without shear stress from MEMS // Proc.of Int.Conf. Mixed 2014, Poland, Gdansk, P.34-36- Bibliogr.: 2 titles.
    1. Kosoboutskyy P., Karkulovska M. The regularities of multibeam acoustic waves interference in MEMS cavity-type structures without shear stress. Analysis by the envelope method. // Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика: [зб. наук. пр.] відп. ред. М.В. Лобур.-Л.: Вид-во Львівської політехніки, 2012. - С.117-124.- Вісник Нац. ун-т "Львів. політехніка" ; № 747.
    2. Kosobutsky P.S., Karkulovska M.S. Extrema Envelope Function Multibeam Interference Fabry-Perot. Part I. Properties and Applied Aspects for Plane-Parallel Single-Layer Systems. Science / Радіоелектроніка та інформатика-2012, No.4 59, - C.90-94.
    3. Kosobutskyy P., Hanas Yu. Application of envelope function method for multibeam interference extremums to the ellipsometry electromagnetic waves by single-layered coatings. // Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика: [зб. наук. пр.] відп. ред. М.В. Лобур.-Л.: Вид-во Львівської політехніки, 2012. - С.83-86. - Вісник Нац. ун-т "Львів. політехніка" ; № 747.
    4. Kosobutskyy Petro, Hanas Yuri. Research and Analysis Model Trajectory of Photons in Biological Environments Using Monte-Carlo Method // Перспективні технології і методи проектування МЕМС: матеріали дев'ятої міжнар. конф. MEMSTECH 2013, 16-20 квітня 2013, Поляна, Україна Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л.: Вежа і Ко, 2013. - C.119-122.
    5. Kosobutskyy Petro, Karkulovska Mar'yana. Acoustic Method of Control of Parameters of Plane-parallel Surfaces of MEMS Elements // Перспективні технології і методи проектування МЕМС: матеріали дев'ятої міжнар. конф. MEMSTECH 2013, 16-20 квітня 2013, Поляна, Україна Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л.: Вежа і Ко, 2013. - C.50-55.
    6. Mykhajlo Lobur, Petro Kosobutskyy, Andrzej Napieralski, Lyubomyr Monastyrski. Sensors on the basis of porsi for MEMS // САПР в машинобудуванні: матеріали двадцять першої міжнар. конф. CADMD2013, 11-12 жовтня 2013, Ланцут, Польща // В.: Видавництво Варшавської політехніки, 2013. - C.27-28.
    7. Petro Kosobutskyy, Yuriy Hanas. Mathcad - algorithm for modeling spectral patterns of transmission of electromagnetic waves foot flat parallel layers of random fluctuations of indicators refracted // Досвід розробка і застосування САПР в мікроелектроніці: матеріали тринадцятої міжнар. конф. CADSM 2013, 19-23 лютого 2013, Поляна, Україна Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л.: Вежа і Ко, 2013. - C.443-444.
    8. Bohdan Dupak, Mykhajlo Lobur, Roman Ivantsiv, Petro Kosobutskyy. Analysis of the distorting effects of atomic force microscopy // САПР в машинобудуванні: матеріали двадцять першої міжнар. конф. CADMD2013, 11-12 жовтня 2013, Ланцут, Польща / В.: Видавництво Варшавської політехніки, 2013. - C.11-12.
    1. Hanas Yuriy Yuriyovich, Kosobutskyy Peter Sidorovic. Reducing the impedance contrast border sections - a method of determining the parameters of layered structures of optical MEMS. Proceeding of the VIII-th International Conference MEMSTECH'2012 "Perspective Technologies and Methods in MEMS Design", 18-21 April 2012, Polyana-Svalyava (Zakarpattya), Ukraine.-Pp. 117-119.
    2. Petro Kosobutskyy, Mykhaylo Lobur, Bohdan Dupak. Algorithm Application Operator Method for the Modeling of One-Dimensional Motion Cantilever of Mechanical Type. Proceeding of the VIII-th International Conference MEMSTECH'2012 "Perspective Technologies and Methods in MEMS Design", 18-21 April 2012, Polyana-Svalyava (Zakarpattya), Ukraine.-Pp. 215-217.
    3. Petro Kosobutskyy. Planning and Generating Trajectory for 5 DoF Serial. Link MCM Machine. Proceedings of the XX Ukrainian-Polish Conference CAD in Machinery Design - Implementation and Educational Issues. 11 - 13 October 2012 Lviv, Ukraine.-Pp. 35..
    4. Petro Kosobuckiy, Yuriy Khanas. Simulation of the Statistical Distribution Parameters Reflective Coatings Elements Single-Layered MEMS Synthesis Methods Fresnel and Monte-Carlo. Proc. of the VII-th Intern. Conf. of Computer Science & Information Technologies 2012 (CSIT'2012). - Lviv: Publishing House Vezha&Co. 2012. - Pp. 57-59.
    5. Petro Kosobutskyy, Yuriy Hanas. Applications of extrema envelope spectra of Fabry-Perot layers for control parameter. 9th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (NN12), July 3-6, 2012, Thessaloniki, Greece. Pp. 8.
    6. Petro Kosobutskyy, Yuriy Hanas. The principle of creating interferometric sensors. 2012 Fall Meeting Symposium - Warsaw, Poland. P. 15.
    1. Kosobutskyy P.S., Bilyj J. M. , Kushnir O. P. Optical beating as a definitive factor for modulation of envelopes of Fabry-Perot interference contour for plane waves in multilayer structure. Ukr.Jour.Phys.Optics, 2 (No2).-Lviv. 2011.- Pp.89-100.
    2. P. Kosobutskyy, M. Karkulovska, A. Morgulis. The principle of multilayer plane-parallel structure antireflection. Optica Applicata (Poland) XL (4), 2010, Pp. 759-765.
    1. Kosobutskyy P.S., Bilyj J. M, Kushnir O. P. Optical beating as a definitive factor for modulation of envelopes of Fabry-Perot interference contour for plane waves in multilayer structure. Ukr.Jour.Pphys.Optics, 2 (No2), 2011, pp.89-100
    2. Kosobutskyy P.S., M.Karkulovska A.Morgulis. The principle of multilayer plane-parallel structure antireflection. Optica Applicata XL (4), 2010,pp.759-765.
    3. Kosobutskyy P.S., Kushnir O.P. Envelopes of optical interference spectra for duplex and triplex layered structures. Ukrainian Journal of Physical Optic, 2008,V.9,№2, p.73-81.
    4. Kosobutskyy P.S. Analitycal envelope functions of the Fabry-Perot spectra of multilayer structures. Technical Physics Letters.-2008.-Vol.34.-P.444-445.
    5. Кособуцкий П.С. Определение параметров однослойных структур по методу анализа огибающих спектров Фабри-Перо Оптический журнал. 2006. -T.73.- № 12. - С. 73-76.
    6. Kosobutskyy P.S. Inversion on a nonmonotonic polarizational angular dependence of light reflecting of coefficient from a thin on an absorpbing substrate. J. of Appl.Spectr. 2005.V.72. No2. 277-280.
    7. Кособуцкий П.С. Моргулис А. Оценка дисперсии коэффициента поглощения в области резонансных переходов по спектрам отражения в интерферометре Фабри-Перо. J. of Appl.Spectr. 2005.V.71.No5. 656-660.
    8. Кособуцкий П.С., Моргулис А. Моделирование спектроскопии отражения и пропускания света однослойными интерферометрами Фабри-Перо методом огибающих. Оптический журнал.2004.-T.71.-№12.-С.63-68.
    9. Kosobutskyy P.S., Morgulis A., Karkulewska M., Danilov A.B. Spike in Spectra of Light Reflection by Crystals as a Criterion of Spatial Dispersion Appreance in Exciton Optical Properties. Ukrainan Journal of Physycal Optics. - 2004. - Vol. 5, №3. - P. 100-103.
    10. Кособуцкий П.С., Моргулис А. Оценка дисперсии коэффициента поглощения в области резонансных переходов по спектрам отражения в интерференции Фабри-Перо. Журнал прикладной спектроскопии. - 2004. - Т. 71, № 5. - С. 672-675.
    11. Кособуцкий П.С., Моргулис А. Моделирование спектров отражения и пропускания света однослойными интерферометрами Фабри-Перо методом огибающих. Оптический журнал. - 2004. - Т. 71, № 12. - С. 63-68
    12. Кособуцкий П.С., Кособуцкий Я.П., Каркулёвская М.С. Ширина, четкость и видность резонансов отражения и пропускания света свободными однослойными интерферометрами Фабри-Перо . Оптика и спектроскопия. 2003. 94.Вып.1.С.77-80.
    13. Кособуцкий П.С., Каркулёвская М., Кособуцкий Я. О фазово - амплитудной корреляции в
      спектрах отражения лектромагнитных волн интерферометрами Фабри - Перо. Оптика и спектроскопия.2003. 94. Вып.3. С.494-496 .
    14. Kosobutskyy P.S., Karkulovska M., Kosobutskyy Ya. Comment on the paper "Method for measuring the cell gap in liquid-crystal displays" Opt. Eng. - 2003. - Vol. 42, № 8. - P. 2465-2466.
    15. Kosobutskyy P.S., Karkulovska M., Kosobutskyy Ya. On phase-amplitude correlation in the reflection spectra of Fabry-Perot interferometers. Optics and Spectroscopy. 2003. - Vol. 94, No 3. - P. 479-481.
    16. Kosobutskyy P.S., Karkulovska M., Kosobutskyy Ya. Bandwidth, Sharpness, and Visibility of Resonances in light reflectance and transmittance of free monolayer Fabry-Perot iterferometers. Optics and Spectroscopy. 2003. - Vol. 94, No 1. - P. 77-80.
    17. Kosobutskyy P.S. Amplitude-phase spectroscopy of resonant reflection of light by crystals with a Fabry-perot interferometer at the suface. Low Temperature Physics. - 1999. - Vol. 25, No 10. - P. 818 - 822.
    18. Kosobutskyy P.S. Амплитудно-фазовая спектроскопия отражения света кристаллами резонаторами Фабри-Перо на поверхности. ФНТ, 1999,25, в.10,1092 - 1098.
    19. Kosobutskyy P.S. Effect of Parameters of the Spacing and Resonant Excitation on the Energy Position. Optica and Spektroskopia, 87 (1) 1998, 420 - 421 .
    20. Kosobutskyy P.S., Prokoptchuk O.,Kityk I.,Lizon J.,Kasperchik J. Observation of high temperature spikes in exciton reflection spectra of CdSe single crystals. Functional Materials, 1996,vol.3,1.-P.74-76
    21. Kosobutskyy P.S., Kityk I., Bilyi Ja.. Some features of exiton reasonic in ZnSe crystal. Appl.Semicond.1996, Vol.16, No3, P.122-126
    22. Kosobutskyy P.S. Resonant Light Reflection from Single Quantum Well Heterostructures. Low Phys.Temp. 1996 , 22,4,P.258-259
    23. Кособуцкий П.С., Прокопчук А.Л. О наблюдении высокотемпературного "спайка" в экситонных спектрах отражения СdSe. Физика низких температур, т. 22, №1, с. 104 -106 (1996).
    24. Kosobutskyy P.S., Kijak B.,Bibikov R. Investigation of the thermochemical reaction in ZnSe crystals from action by infrared light. Radiation Effectrs and Defects in Solids. 1995,vol.137.-P.39-43
    25. Kosobutskyy P.S., Vodolazskiy P. Investigation films ZnSe grown at GGG,IYG. Radiation Effectrs and Defects in Solids. 1995,vol.137.-P.35-38.
    26. Kosobutskyy P.S., Shevel S.G., Brodin M.S. Non classical excitonic reflection spectra of mixed single crystal. PSS(b),1981.-Vol.103, K.47-K.50
    27. Кособуцкий П.С., Бродин М., Шевель С.Г. О температурной зависимости неклассических экситонных спектров отражения ZnSe. ФТТ,1979,т.22, 11, С.2510-2513
    1. П.С. Кособуцький, О. П. Кушнір. Закономірності похилого відбивання світла плівкою, зумовлені багатопроменевою інтерференцією. Журнал фізичних досліджень, 2008, Т.12, №1, 1701_1-1701_5.
    2. П.С. Кособуцький, О. П. Кушнір, А. Моргуліс. Закономірності прояву псевдобрюстерівської кутової умови в еліпсометричних спектрах одноплівкових структур сталої товщини. Фізика і хімія твердого тіла, 2008, 9, №1, с.193-197.
    3. П.С. Кособуцький, О. П. Кушнір, А. Моргуліс. Обвідні спектрів багатопроменевої інтерференції плоскопаралельних структур: обґрунтування та основні закономірності. УФЖ, 2008, Т.53, №9, с.858-862.
    4. П.С. Кособуцький, О.П. Кушнір. Закономірності прояву брюстерівської і псевдобрюстерівської кутових умов в спектрах відбивання світла тонким прозорим шаром. УФЖ .-2007.- 52.-№3, c.226-229.
    5. П.С. Кособуцький, Б.К. Остафійчук, А. Моргу ліс, О.П. Кушнір. Прикладні аспекти спектроскопії поверхневих плівок методом обвідних інтерферограм Фабрі-Перо. Фізика і хімія твердого тіла.-2007.-8.-№1, с.56-66.
    6. П.С. Кособуцький, А. Моргуліс, А. Данилов, М. Каркульовська. Моделювання кутових закономірностей спектрів відбиття світла тришаровими структурами з резонатором Фабрі-Перо. Український фізичний журнал. − 2005. - Т. 50. - С. 551-555.
    7. Кособуцький П., Моргуліс А. Моделювання методом обвідних амплітудно-фазових спектрів інтерференції Фабрі-Перо в області резонансної дисперсії функції діелектричної проникності. УФЖ. 2005.-T.50.- №3.-С.230-233.
    8. Кособуцький П., Моргуліс А. Моделювання методом обвідних амплітудно-фазових спектрів Фабрі-Перо тришарових прозорих структур при нормальному падінні променя. УФЖ . 2004 - T.49. - №12. - С.1163-1169
    9. P. Kosobutskyy, A.Morgulis. Simulation of three-layer transparent structures by the method of enveloping amplitude-phase Fabry-Perot spectra upon the normal incidence of light. Ukr.J.Phys.2004.V.49.No12. 1163-1166
    10. П.С. Кособуцький, Білий Я.М., Кособуцький Я.П., Каркульовська М.С. Моделювання апаратних характеристик резонансів Фабрі-Перо у спектрах відбиття і пропускання світла тонкими плівками. Вісник НУ "ЛП".- 2002. - №454. - С.42-47.
    11. Кособуцький П.C., Прокопчук О.Л. Контроль параметрів поверхневого шару CdTe, модифікованого імпульсним лазерним опромінюванням. Вісник НУ "Львівська Політехніка " № 454 , с. 71 (2002).
    12. Kosobutskyy P., Lobur M. Method of parameter control of dielectric layer phase thickness on Si crystal surface. Вісник НУ"ЛП", 2001, № 415, С.71 - 74.
    13. Кособуцький П., Данилов А., Прохоренко С., Стахіра П. Акустична емісія в кристалах GaAs при неперервній лазерній дії. Фізичний збірник НТШ, т.4, 2001, 331 - 335
    14. Кособуцький П., Данилов А., Прокопчук О. Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером. Вісник НУ"ЛП". 2000, №397, С.66 - 70.
    15. Кособуцький П., Данилов А., Прокопчук О. Еліпсометричні дослідження поверхонь кристалів GaAs i CdTe, опромінених імпульсним лазером ІЧ діапазоу. Вісн.ДУ"ЛП",2000, №393, 44-49.
    16. Кособуцький П., Білінський Ю., Захар'яш О., Лахоцький Т. Оптико - механічні властивості селеніду цинку. Вісн.ДУ"ЛП",2000, №427, 121-125.
    17. Кособуцький П.C., Прокопчук О.Л. Локалізація екстремумів екситонного відбивання світла надграткою з поодинокою квантовою ямою. УФЖ, т.41, №4, с. 419-421 (1996).
    18. Кособуцький П.C. Роль безекситонного шару і загасання у формування амплітудно-фазових спектрів екситонного відбивання ZnSe. УФЖ.1996.-T.41.-№4.-С.414 - 418.
    19. Кособуцький П.C. Вплив просторової дисперсії на енергетичне положення мінімуму в екситонних спектрах відбивання. УФЖ,1995.-T.40.-№4.-С.309 - 311.
    20. Кособуцкий П.C., Гаркавенко А.С., Мокрицкий В.А. Формирование омических контактов на поверхности полупроводниковыъ соединений. Технология и констру ирование в электронной аппаратуре, 1993, №2, С.40-41
    21. Кособуцкий П.C., Марчук Н.Д., Водолазский П.В., Гончар В.В. Использование лазерной технологи в обработке кристаллов. ЭТ,1991,сер.7, В,3, С.44-49.
    22. П.C. Кособуцкий, Я.В.Бурак. Пространственно-периодические осцилляции интенсивности рассения света в кристаллах. УФЖ,1988.-т.33, №3.-С.533-540
    23. П.C. Кособуцкий. Анализ условий возникновения добавочного минимума в области продольно-поперечного расщепления в экситонных спектрах отражения. УФЖ.1983. -T.28.- С.1090-1091.
    24. П.C. Кособуцкий, М.С.Бродин, М.Г.Мацко. Свойства екситон-поляритонной люминесценции, комбинационного рассеяния света при резонансном и зона-ззонном возбуждении кристаллов. УФЖ,1980.-т.25, №7.-С.1220-1222
    25. П.C. Кособуцкий, Д.Б.Гоер, С.Г.Шевель. Аномалии в спектрах экситонного отражения смешанных кристалов. УФЖ,1980.-т.25, №6.-С.1041-1042
    26. П.C. Кособуцкий, Д.Б.Гоер. Особенности електрон-фононного взаимодействия в кубических монокристалах. УФЖ,1979.-т.24, №11.-С.1762-1764
    27. П.C. Кособуцкий. Особенности спектров экситонного излучения монокристаллов ZnSe. УФЖ,1979.-т.22б№6.-С.980-984
    28. Кособуцкий П.C., Бродин М.С., Королько Б., Лысенко С.Ф. Влияние облучения электронами на экситонную люминесценцию монокристаллов ZnSe. УФЖ,1976.-т.21.7.-С.1085-1087
    1. P. Kosobutskyy, O. Kushnir. Simulation of Parameter Fabry-Perot Resonator by envelope functions of Multi-beam Spectra Interferention. Proceedings of 8th IC on LFONM// Kharkiv, 2006, 29 June-01 July KNU- p.247.
    2. Kosobutskyy P., Morgulis A. Fabry-Perot interferometry of light by layer in the resonant region. V International School-Conference semiconductors Physics Urgent Problems. Drogobych, Ukraine June 27-30 2005.-P.100
    3. Кособуцкий П.С., Каркулевская М.С.. Приборные возможности амплитудно-фазовой оптической спектроскопии плоских резонаторных структур. Седьмая МНТК"ОМИС" 24-27 июня 2003, Москва. Труды конференции. - 2003. - С. 488 - 491.
    4. Kosobutskyy P.S., Karkulovska M.S., Osypyshyn L.I. Processing the algorithm of experimental spectrograms of light reflected by thin films in polariton region of spectrum. IV МШК "АПФН" Дрогобич, 24-27 червня 2003 року. С. 153.
    5. Kosobutskyy P., Lobur M. Laser oxidation of surface and vethod of parameter control. Proceeding of the 8th IC MIXED DESING of IС and SYSTEMS. Zakopane,Poland. 2001,P.431
    6. P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk, O. Zahar'yash. In situ study of heat parameters for CdTe and HgCdTe during melt - crystallization process. E-MRS 2001 Spring Meeting Strasbourg (France) June 5-8, 2001.
    7. P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk. Simulation of heat flow and structural surface modification in CdTe treated by IR laser pulses. Proceedings of LASE 2001, San Jose, California USA, 20-26 January, 2001.
    8. P. Kosobutskyy, A. Danylov, V. Pryyma, T. Slusarchik, et.al. Laser oxidation and parameter control of semiconductor crystal surfaces. Proceedings of 75 ACS Colloid and Surface Science Simposium, Pittsburgh, USA, 10-13 June 2001.
    9. P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk, O. Zahar'yash. In situ study of heat parameters for CdTe and HgCdTe during melt - crystallization process. E-MRS 2001 SMS Strasbourg , June 5-8, 2001.
    10. P. Kosobutskyy, A. Danylov, V. Pryyma, T. Slusarchik, et.al. Laser oxidation and parameter control of semiconductor crystal surfaces. Proceedings of 75 ACS Simposium, Pittsburgh, USA, 10-13 June 2001.
    11. P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk, O. Zahar'yash. In situ study of heat parameters for CdTe and HgCdTe during melt - crystallization process. E-MRS 2001 SMS Strasbourg (France) June 5-8, 2001
    12. P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk, Simulation of heat flow and structural surface modification in CdTe treated by IR laser pulses. Proceedings of LASE 2001, San Jose, California USA, 20-26 Jan., 2001.
    13. P. Kosobutskyy, T. Slusarchik, Study of Te film adhesion at ZnSe crystal surface. 2000 MRS SMS J: Laser-Solid Interactions .Materials Processing , San Francisco.
    14. Кособуцький П.,С., Данилов A.Б., Прокопчук О.Л. Еліпсометричні дослідження поверхонь кристалів CdTe i GaAs, опромінених імпульсним лазером ІЧ діапазону. Вісник ДУ "ЛП" т. 393, с. 44-49, 2000.
    15. Кособуцький П.С., Данилов A.Б., Прокопчук О.Л. Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером. Вісник ДУ "ЛП", т. 397, с. 66-70, 2000.
    16. P. Kosobutskyy, A. Danylov, O. Prokopchuk. Laser oxidation of wide bandgap semiconductors by continious IR laser light. Proceedings of 10th IC on Solid Surfaces, Birmingham, 31 Aug. - 4 Sept. 1998
    17. P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk. ATR-spectra calculations with surface polaritons, Proceedings of 15th GCCMD, Baveno-Stresa, Italy, April 22-25,1996 (163).
    18. P. Kosobutskyy, Laser light produced microstructures at the ZnSe crystal surface. Proceeding IS Heterostructures in Science and Technology. Wurzburg,Germany,13-17 March,1995.- P.89
    1. Кособуцький П.С., Кушнір О.П. Спосіб визначення показника загасання світла в плівці плоскопаралельної одноплівкової структури. Патент на корисну модель №26018 Україна, G01N21/00. u 200705526.
    2. Кособуцький П.С., Кушнір О.П. Спосіб визначення кута Брюстера для верхньої межі поділу багатошарової плоскопаралельної структури. Патент на корисну модель №24663 Україна, G01N21/00. № u200701914
    3. Кособуцький П.С., Каркульовська М.С., Кособуцький Я.П., Моргуліс А.М. Спосіб визначення спектра фази плоскої світлової хвилі, відбитої плоскопаралельним середовищем. Деклараційний патент на корисну модель. Україна. (11) 5764 ; (19) UA (51) 7 G01R27/06, 2005
    4. Кособуцький П.С., Крочук А.С., Пелещишин О.С. Метод формування омічних контактів на поверхні н/п сполук А2В6 і А3В5. Позитивне рішення №960735.32 від 27.07.1995
    5. Кособуцкий П.С., Водолазский П.В., и др. Способ соединения полупроводникового кристалла с металлической оправой. А.С.СССР.№ 1709863.01.10.1991
    6. Кособуцкий П.С., Водолазский П.В., и др. Способ получения пленок Те. А.С.СССР. №
      1767049.8.06. 1992
    7. Буряк Я.В., Кособуцкий П.С. и др. Устройство для определения направления вращения плоскости поляризации. А.С.СССР.№ 1664023.15.03.1991
    8. Кособуцкий П.С., Водолазкий П., Стецишин Т., Хапко З. Метод определения силы осцилляторов экситонных переходов в полупроводниковых кристаллах. А.С.СССР.№1498319.1.04.1989
    9. Кособуцкий П.С., Бурак Я., Лысейко И. и др. Фотоупругий модулятор света. А.С.СССР .№ 1519403.1.07.1989
    10. Кособуцкий П.С., Водолазкий П.,Мацко М., Кушнир С.Х., Кияк Б.Р. Способ окисления поверхности монокристаллов ZnSe. А.С.СССР.№262303.1.10. 1987
    11. Кособуцкий П., Коваль И. Способ определения глубины нарушенного слоя на прямозонных полупроводниковых подложках. А.С.СССР.№1292613.22.10.1986
    12. Кособуцкий П., Преварская Г. Устройство для одновременного измерения спектров отражения и пропускания. А.С.СССР.№1371188.1.10.1985
    13. Кособуцкий П., Чегиль И. Вакив М. Способ неразрушающего контроля глубины нарушенного слоя на прямозонных кристаллов. А.С.СССР.№1220517.2.07.1984